TA-N1

[Nuggets]

Gruß an alle, vor allem an die,die sich mit Verstärkern auskennen!

Was haltet ihr vom Sony TA-N1?
Dieser Endverstärker weißt in meinem Erachten schon fast Charakteristika wie der ASR Emitter auf. Er dürfte für seine 2x400Wmax *sehr* gut dimensioniert sein. (70kg Gesamtgewicht!) Eines Tages hörte ich diesen Verstärker im Berliner Sony Store mit ihrer Flaggschiffkette (damals 2001) und ich muss zugeben, dass man das, was die Kette von sich gab, als absolut kontrolliert und clean beschreiben kann.
Frank S erhielt von mir auch schon den (für mich sehr komplizierten Schaltplan; wer ihn haben will, mailt mir); er meinte, dass das Konzept auf den zweiten Blick auch nichts besonderes sei. Ok.
Ein einem Prospekt sah ich nun, welche Leistungs-MOSFETs eingesetzt sind: 2SK 1201A und der 2SK 1530A.
Kann mir jemand sagen, wo man ausser bei Sony diese Transen her bekommen kann und wo man die Datenblätter derselbigen downloaden kann? Ich möchte nämlich prüfen, ob diese Transistoren für mein Selbstbauprojekt ok wären. (Ich will, so ist der Stand jetzt, keine RB990 nachbauen.)
Wie schon öfters bekräftigt, bin ich kein Fan von Sony, mich interessiert nun nur dieser Verstärker, von dem ich eben den Schaltplan und ein Prospekt (kann auch bei mir per mail geordert werden) aus meiner Sony-Euphorie-Zeit (gottseidank schon lange her) habe.
Dieser Amp stellt bei Sony eine *Ausnahme* dar, da er mit 2x16kg an Kühlkörpern wirklich amtlich wirkt.

Danke,

Nuggets

[Frank S]

War das damals das ServiceManual auf dem Server wo man ein Kennwort benötigt hat?

Diese Endstufe hatte ein ziemlich schwaches Netzteil und war auch sonst ziemlich gewöhnlich.

Das Gehäuse war aber tadellos. man konnte die seitlichen Module wegklappen.

[Nuggets]

Ja, Frank, das war der Plan.
Brauchst du den Prospekt?

Tja, die Mechanik ist zwar toll, aber die Elektronik? Kennst du die Transistoren? Die sollen 200V aushalten und einen Strom von jeweils 12A bringen. (rel. normal eigentlich!?)

Wieso sollte denn das Netzteil mit (ich glaub) 4x 50000µF + Riesen-Trafo unterdimensioniert sein?

Nuggets

[Frank S]

Ich muß den Plan nochmal raussuchen; er ist auf einer alten CD versteckt.

[Frank S]

Der 2SK1201 wird durch den 2SK727 ersetzt.

Der 2SK1530 hat eigentlich den 2SJ201 als Partner. Die Transistoren sind ganz normale Typen von Toshiba.

Morgen habe ich etwas Zeit, ich gehe die Schaltung nochmal durch. Ich weiß nichtmehr was, aber da waren einige Haken dran. Hatte das damals grob zusammengefaßt auch im Forum gepostet. Irgendwas war da faul. Sowohl in der Eingangsstufe als auch im Leistungsteil. Ist aber zu lange her.

Morgen suche ich die Schaltung nochmal raus.

Die Typen halten 200V, 12A und 150Watt bei 20 Grad Gehäusetemp.

[Dieser Beitrag wurde von Frank S am 06. Februar 2003 editiert.]

[Michael]

Vielleicht war es auch nur, dass nicht Rotel drauf stand

[Frank S]

Das sicher auch, senn Rotel hätte sicher keine FETs aus Ausgangsstufe benutzt und auch keine 25 Relais im Signalweg liegen...

[Schlimm]

Was hast du gegen FETs in der Endstufe?

[Nuggets]

@ Frank:

der 2SJ201, so glaube ich, war es, der auf keinen Fall der Partner zum von mir genannten Transistor sein kann, da dieser zwar 900V aushalten kann, jedoch nur 5A liefern kann. Naja, das soll nicht das Problem sein, denn es gibt ja Transistoren wie Sand am Meer.
Doch die von Sony verbauten Transistoren können nicht so einfach ganz normale Toshiba-FETs sein, da sie einfach nirgends zu finden sind.

Thema Netzteil:
600W Leistungsaufnahme + 4x27000µF/80V (+Bypasskondensatoren (MKP)) für die Siebung. Du hast Recht, die Endstufe ist nicht vollgasfest. Außer dem Trafo scheint mir aber sowohl das Netzteil als auch das Mainboard, ok konstruiert zu sein. Der Schutz vor DC, Überhitzung usw. übernimmt ein IC. 25 Relais im Signalweg sind es auch nicht ganz.

Thema FETs vs. Bipolar:
Du hast mir aus schon mal aufgezeigt, warum aus praktischer Sicht der bipolare Transistor (der stromangesteuterte Transistor) einen Vorteil hat: er ist wesentlich unempfindlicher als FETs im Bezug auf statische Aufladung. Ferner ist der bipolare deutlich energiespendabler als der FET, was sich jedoch in den letzten Jahren schon stark geändert hat.
Soweit ich das verstanden habe, sind FETs deutlich schneller im Schalten, was darauf zurück zu führen ist, dass der bipolare T. einen Stromfluss über die Basis aufbauen muss, wogegen der FET sich wie ein schneller C aufladen lässt und eigentllich mit der Spannung angesteuert wird. Also muss auch nicht so darauf geachtet werden, wie der Strom fließen kann. Beim FET ist einfach das Gate parallel geerdet (mit meistens einem 10kOhm-Widerstand), was darauf schließen lässt, das der FET wirklich mit absolut derselben Phase den Innenwiderstand variiert, wie es das Signal vorgibt. Aufgrund seiner "Feinfühligkeit" ist aber der FET anfälliger für Grundrauschen (thermisches R. + x). Der FET lässt sich dennoch nicht so stark wie der bipolare T zum Klirr hinreißen.
Also wenn nach mir ginge, hätten alle Verstärker in der Ausgangsstufe MOSFETs drinnen.

Nuggets

[Frank S]

Oh was geht da alles schief!!!

2SJ201: P-Kanal-MOS, 200V, 12A, 150Watt, komplementärtyp zu 2SK1530.

900V hält der auch kurzzeitig nicht aus. Wo kommt die 900V Info her???

Die statische Entlöadung ist heute egal weil man mit entsprechendem Equipment hantiert und somit keine Gefährdung der Bauteile mehr auftritt.

FETs haben hohe Kapazitäten am Gate was bei hohen Schaltraten eine stromfähige Treiberstufe erfordert. Ist diese nicht stromfähig genug, so leiten beide FETs gleichzeitig was schnell zu deren Zerstörung führt. Vor dem Gate sind niederohmige Widerstände (10 Ohm) geschaltet die die Treiberstufe gegen Stromspitzen schützen.

Um das zu verdeutlichen: man baue eine Rechteck-Ausgangsbrücker für einen Schrittmotor. Das Ganze einmal bipolar, einmal FET. Betriebsfrequenz von 100Hz bis 20kHz. +/-20V, +/-5A. Einfach mal aufbauen und ausmessen...

Bipolare Transistoren sind für hohe Leiostungen noch immer besser; nicht ohne Grund arbeiten kräftige Schaltnetzteile, H-Endstufen usw. noch immer bipolar. Es ist allerdings korrekt daß die FET Technologie in den letzten Jahren zu sehr hochwertigen FETs geführt hat. Aber auch die bipolaren Typen wurden erheblich verbessert.

Die Optimale Verstärkertopologie ist meiner Ansicht nach das BiMOS Konzept: bipolare Endstufe von FETs getrieben.

Ich sage nicht, daß die Sony schlecht ist. Aber sie ist Faktor 10 überteuert. Sie ist ihr Geld nicht wert! Das hat sie auch mit der T+A A3000 gemeinsam welche ihre 7500 ebenfalls nicht wert ist.

Gibt es die Schaltung noch wo zum Download? Habe die CD kurzfristig nicht gefunden.

Stell mal die HCA3500 gehen die TA-N1.

[Dieser Beitrag wurde von Frank S am 10. Februar 2003 editiert.]

[Schlimm]

Naja, bei den quasi DC Anwendungen der Hifi-Endstufe kann man sowohl mit FETs als auch mit Bipos leistungsfähige Endstufen bauen. Es gibt von beiden Arten interessante Abarten (VMOS, Ringemitter z.B.) als auch Zwittertypen (IGBT, leider nur ein Typ komplimentäre für Hifi Anwendungen und sackteuer noch dazu).
Zu sagen, ein Bipo wäre immer besser, weil es robustere Typen gibt, halte ich für falsch. Ein Unimog ist auch nicht automatisch das bessere Auto, nur weil es robust ist. Es kommt immer darauf an, was man damit machen will.
So gibt es sehr wohl auch sehr gute Endstufen mit FET Endsektion auch mit höheren Leistungen, die bisher mir noch nicht durch frühzeitiges Ableben aufgefallen wären.

[Nuggets]

@ Frank:

Oh, Fehler meinerseits: die fehlerhaften Daten beziehen sich nicht auf den 2SJ201, sondern auf den 2SK727, Verzeihung.
Wo ich die Information her habe: http://www.diyparadiso.com/datasheet...ransistors.txt

Den Schaltplan der Endstufe kannst du gerne nochmal haben; der Plan muss lediglich nochmal gescannt werden, da es damals ein Freund für mich machte, wobei der Plan dann gute 20MB an Datenvolumen umfasste. Das versuche ich diesmal zu vermeiden, so dass auch noch ein Quäntchen an Übersicht herausspringt. Sobald der Plan wieder im Netz ist, gebe ich Bescheid.
<BLOCKQUOTE><font size="1" face="Verdana, Arial">Zitat:</font><HR>Stell mal die HCA3500 gehen die TA-N1.[/quote]

ja, würde mich interessieren.

@ Schlimm:

<BLOCKQUOTE><font size="1" face="Verdana, Arial">Zitat:</font><HR>Naja, bei den quasi DC Anwendungen der Hifi-Endstufe kann man sowohl mit FETs als auch mit Bipos leistungsfähige Endstufen bauen. Es gibt von beiden Arten interessante Abarten (VMOS, Ringemitter z.B.) als auch Zwittertypen (IGBT, leider nur ein Typ komplimentäre für Hifi Anwendungen und sackteuer noch dazu).
Zu sagen, ein Bipo wäre immer besser, weil es robustere Typen gibt, halte ich für falsch. Ein Unimog ist auch nicht automatisch das bessere Auto, nur weil es robust ist. Es kommt immer darauf an, was man damit machen will.
So gibt es sehr wohl auch sehr gute Endstufen mit FET Endsektion auch mit höheren Leistungen, die bisher mir noch nicht durch frühzeitiges Ableben aufgefallen wären.[/quote]
meine Rede

Nuggets

[Frank S]

Bevor das neu gescannt wird suche ich doch liber am Donnerstag die alte CD heraus. Das ist dann doch wesentlich einfacher.

Bipolare Typen sind in Bezug auf Stromlieferfähigkeit, kuerzzeitige Überlastung und Ansteuerung noch immer besser als FETs.

Mit bipolaren Transistoren kann man mit mäßigem Aufwand bereits äußerst gute Resultate erzielen. Die dazu benötigten Rezepte sind einfach in der Konstruktion und unkritisch im Betrieb.

Mit FETs kann man ebenfalls sehr gute Resultate erzielen wobei die Konstruktion einer guten FET Endstufe sehr kritisch ist. Auch eine sauber konstruierte FET Endstufe rauscht z.B. mehr als eine vergleichbare Bipolarstufe, außerdem ist eine hohe Bandbreite immer mit heftiger Schwingneigung verbunden. Eine FET Endstufe ohne Boucherot / Zabel Filter ist fast nie stabil. Um hohe Dämpfung zu erzielen muß man bei FETs sehr stark gegenkoppeln. Bipolare Stufen haben von sich heraus schon eine brauchbare Dämpfung. Leider werden FETs oft dazu mißbraucht, mit geringstem Aufwand eine funktionsfähige Endstufe zu konstruieren. Aus diesem Grund sind die billigen PA Endstufen in den allermeisten Fällen auf FET Technik aufgebaut.

Letztlich erzielt man mit einer sauber konstruierten FET Stufe bei mehrfachem Aufwand beinahe die selben Resultate wie mit einer bipolaren Endstufe.

[Nuggets]

Hi nochmal!

Der alte scan des Schaltplanes ist ohnehin noch auf dem Server. Der link: http://mitglied.lycos.de/test123/sony-endstufe.zip
Dieses Zip hat nach wie vor um die 12,3MB und ist nur mit dem Kennwort "endstufe" zu öffnen.

Was hälst du vom BUZ 341? Der Hält 200V aus (mehr brauchts eh nicht) und ist fähig, für kurze Zeit 123A durchzulassen, 33A sinds kontinuierlich! Die Kennlinien sehen noch passabel aus. Insgesamt liefert er 170W und wird von Infineon gefertigt.

Noch zwei Fragen zu MOSFETs (stecke verstärkertechnisch noch in den Kinderschuhen):
1.)Diese FETs schalten ja erst ab einer sog. Treshholdspannung, die in der Regel bei 3V liegt. Wie wird es in der Praxis geschafft, das Signal auf dieses Spannungspotential zu heben?
2.) Die FETs weisen in der Kennline auch im unteren Bereich exponentielle Charakteristika auf, um dann erst weiter oben ins Lineare zu gehen. Der lineare Bereich ist natürlich der gewünschte. Gibt es Möglichkeiten, den unteren Bereich ausßen vor zu lassen, so dass man nur den "guten" Arbeitsbereich der Transistoren anspricht? Wenn ja welche?

Zur Verdeutlichung habe ich ein Bild einfügt, so dass jeder weiß, was gemeint ist. Dieses Bild stammt aus dem Datasheet für den BUZ 341.


Nuggets

[Dieser Beitrag wurde von Nuggets am 10. Februar 2003 editiert.]

[Frank S]

Bipolare Transistoren haben eine e-Funktion als Kennlinie, FETs eine Parabel. Die Art der Kennlinie wirkt sich auch auf die Art der Verzerrungen aus. FETs sind wegen der Parabel verzerrungsärmer, benötigen aber größeren Ruhestrom um im linearen Bereich zu arbeiten. Deshalb nimmt auch das Grundrauschen im Vergleich zu bipolaren Stufen zu.

Die Vorspannungserzeugung erfolgt analog zu der bei bipolaren Schaltungen.